EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术基础上的一次关键升级。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。
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公司试图借产能扩张卡位高压功率半导体赛道，其产品技术进展与扩产规划形成对应，但核心矛盾凸显：一期产能仍处于爬坡阶段、未达规划目标，便新增超50%产能，消化能力待考。
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